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近日,从浙江大学苏州工业技术学院获悉,该院电力电子研究中心主任参加的“高压大电流igbt芯片关键技术及应用”获2019年国家技术发明奖二等奖。

据悉,2011年,浙江大学苏州理工学院从学校引进盛况团队进入苏州高新区,成立了电力电子器件研究中心,为国内高校第三代(宽带隙)半导体器件的研究搭建了第一条技术路线,致力于第三代半导体电力电子器件的研发和产业化。该研究所和研究中心为本次获得崇光教授批准的“高压大电流igbt芯片关键技术及应用”项目提供了重要的条件支持和保障。

浙大苏州工研院盛况团队参与项目荣获国家技术发明奖二等奖

浙江大学苏州工学院经过近9年的建设,已建成电力电子器件、中药现代化技术、数字多媒体、智能材料和微系统等13个研究中心和9个联合R&D中心。积累了78家科技型企业,聚集了643个双创团队,赢得了57名国家级、省级、市级领军人才,累计销售额超过28亿元。构建并形成了“学校+研究所+创新型企业集群”的产业技术创新一体化体系,同时,研究所不断加强创新创业公共服务能力建设,先后被国家科技企业孵化器、国家技术转移示范机构、国家博士后研究中心、江苏省生产、教育、科研的主要创新载体、江苏省科技企业孵化器批准。 江苏省中小企业公共服务示范平台(四星级),江苏省工业人才培养基地,全国50强孵化器。

浙大苏州工研院盛况团队参与项目荣获国家技术发明奖二等奖

下一步,学院将继续立足学校丰富的科技创新资源优势,服务学校“双一流”建设,服务“长三角一体化”国家战略,支持地方高技术产业优质发展,努力尽快打造国内一流的产业技术研发和服务平台。(叶青青·郭庆)

标题:浙大苏州工研院盛况团队参与项目荣获国家技术发明奖二等奖

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